Varnish是一款高性能的Web加速器,缓存性能非常好,于是我也学学这么好的东西。
看到官网的最新版是4.0,毫不犹豫下载了4.0,安装上,安装非常顺利,可是用起来就没那么幸运了
复制代码代码如下:
rpm –nosignature -i https://repo.varnish-cache.org/redhat/varnish-4.0.el6.rpm
yum install varnish
准备启动varnish,却一直提示失败
复制代码代码如下:
[root@localhost ~]# service varnish start
Starting Varnish Cache: [FAILED]
根据官网的教程,使用手动方式启动,一切正常,分析结论是启动脚本有问题,于是先更改了 /etc/sysconfig/varnish 开启debug模式
在DAEMON_OPTS变量末尾 加上一个 -d ,让其以debug模式启动:
复制代码代码如下:
DAEMON_OPTS="-a ${VARNISH_LISTEN_ADDRESS}:${VARNISH_LISTEN_PORT} \
-f ${VARNISH_VCL_CONF} \
-T ${VARNISH_ADMIN_LISTEN_ADDRESS}:${VARNISH_ADMIN_LISTEN_PORT} \
-t ${VARNISH_TTL} \
-p thread_pool_min=${VARNISH_MIN_THREADS} \
-p thread_pool_max=${VARNISH_MAX_THREADS} \
-p thread_pool_timeout=${VARNISH_THREAD_TIMEOUT} \
-u varnish -g varnish \
-S ${VARNISH_SECRET_FILE} \
-s ${VARNISH_STORAGE} -d"
然后启动发现一直卡在那里,不动了,再改一下 /etc/init.d/varnish中的start函数,开始有提示信息了(” > /dev/null 2>&1 “是屏蔽任何输出信息)
复制代码代码如下:
daemon --pidfile $pidfile $exec -P $pidfile "$DAEMON_OPTS" > /dev/null 2>&1
终于有提示信息了
复制代码代码如下:
[root@localhost ~]# service varnish start
Starting Varnish Cache: Failed to change owner on ./vcl.qQKfF5iP.c: Operation not permitted
Running VCC-compiler failed, exited with 2
VCL compilation failed
[FAILED]
原来是权限问题,觉得可能是个4.0的新版本bug,只能将启动的用户和组改成root(-u 和 -p),先将就用用吧,反正只是拿来学习一下。如果是生产系统,建议不要用root启动,因为一旦varnish存在漏洞,如远程溢出或者命令执行,直接就是root权限。
复制代码代码如下:
DAEMON_OPTS="-a ${VARNISH_LISTEN_ADDRESS}:${VARNISH_LISTEN_PORT} \
-f ${VARNISH_VCL_CONF} \
-T ${VARNISH_ADMIN_LISTEN_ADDRESS}:${VARNISH_ADMIN_LISTEN_PORT} \
-t ${VARNISH_TTL} \
-p thread_pool_min=${VARNISH_MIN_THREADS} \
-p thread_pool_max=${VARNISH_MAX_THREADS} \
-p thread_pool_timeout=${VARNISH_THREAD_TIMEOUT} \
-u root -g root \
-S ${VARNISH_SECRET_FILE} \
-s ${VARNISH_STORAGE}"
不要忘了把-d去除,启动成功
终极解决办法:
后来找到了问题的根源,是因为Centos/Redhat的Selinux问题(貌似是bug),参见:https://bugzilla.redhat.com/show_bug.cgi?id=1125165
只要执行如下命令即可正确启动Varnish:
复制代码代码如下:
#setenforce 0
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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。
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