最早接触 iOS 开发了解到的第一个缓存数据库就是 SQLite,后面一直也以 SQLite 作为中坚力量使用,以前没有接触到比较大量数据的读写,所以在性能优化方面关注不多,这次对一个特定场景的较多数据批量读写做了一个性能优化,使性能提高了十倍。
大致应用场景是这样:
每次程序启动会从服务器拉取一些数据,对本地数据库两个表进行同步更新,不存在就写入,存在就更新其字段。数据少的时候几十条,多的上千条。
由于缓存的数据可能会存在异步同时读写,所以做了一个后台同步队列,所有的缓存数据库操作都在这个队列里面,然后我监控了一下写数据库的关键代码执行耗时,一千条数据更新到数据库就能耗时 30 秒之久,磁盘写入在 1.5M/s 浮动, 虽然没有卡主线程,这个消耗即使在后台也是不可容忍的。
核心的数据库操作大概是这样的
for 1000 : { Select -> Update Or Insert Select -> Update Or Insert }
由于牵涉到两张表,所以会有两次,经过测试,Select 一次几乎没有多少消息,可是 Update 或者 Insert ( [FMDatabaseQueue executeUpdate:] ) 就消耗大了,因为会写入磁盘,然后想到是不是可以把所有的 SQL 语句拼接起来,最后只想一次;再后来想到 SQLite 不是有事务 ( Transaction ) 嘛,于是尝试了一下利用 FMDB 的事务操作,在循环开始前 [db beginTransaction] ,循环结束 [db commit],包起来就行了。
增加事务之后的大概逻辑:
beginTransaction for 1000 : { Select -> Update Or Insert Select -> Update Or Insert } commit
测试效果非常好,整个耗时从 30 秒下降到了2.8 秒左右,仅仅增加了两行代码。
总结:
踩过的坑,走过的坎,都是以后的经验
虽然利用事务取巧来提高了性能,但是这样做其实并不安全,好在所属场景对这部分数据绝对一致要求不是太高。
模拟器和真机有时候测试并不能重现同一个问题,因为所属架构、CPU、硬盘都不一样,所以性能测试最好还是以真机为准。该问题测试的时候在模拟器上很多问题都没有,因为硬盘比真机读写速度要高,所以避免了很多问题,测试的时候也就没有发现。
数据库设计设计的时候得多考虑考虑,多想想以后怎么扩展,怎么升级,读写的时候性能怎么样
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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。
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